Начало работы

Все необходимое для начала работы с продуктом




Datasheet

PDF

Программное обеспечение

Описание

9301/053 (for M65609E) ESCC

9301/053 (for M65609E) ESCC ESA-ESCC

(размер файла: 320, 22 стр., ред. A, обновлено: 10 07 г.)

5962-02501 (for M65609)

5962-02501 (for M65609) Standard Microcircuit Drawing

(размер файла: 325, обновлено: 1 00 г.)

M65609E

M65609E Complete

(размер файла: 838 KB, 15 стр., ред. J, обновлено: 11 13)
Еще документы...

Very low power CMOS static RAM organized as 131,072 by 8 bits.Utilizing an array of six transistors (6T) memory cells, it combines an extremely low standby supply current with a fast access time at 40ns. The high stability of the 6T cell protects against soft errors due to noise.This RAM is processed according to the methods of the latest revision of the MIL PRF 38535 and ESCC 9000. It is produced by the same process as the MH1RT sea of gates series.

Основные параметры

Параметр
Значение

Temp. Range (deg C):

-55 to 125

Operating Voltage (Vcc):

3.0 to 3.6