入门指南

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并行接口 EEPROM 具有可确保系统质量优异、可制造性强的高级特性。器件集成了进一步提高耐久性的内部错误校正及改进的数据保留特性,还具有可选软件数据保护机制以防止意外写入。每个器件还提供了额外的 64 或 128 字节 EEPROM 存储器,用于设备识别或跟踪。

 
器件
说明

Battery-Voltage Parallel EEPROM 256K (32K x 8)

Battery-Voltage Parallel EEPROM 64K (8K x 8) with Page Write and Software Data Protection

Paged Parallel EEPROM 1M (128K x 8)

Paged Parallel EEPROM 4M (512K x 8)

Paged Parallel EEPROM 256K (32K x 8)

Parallel EEPROM 64K (8K x 8) with Page Write and Software Data Protection

High-Speed Parallel EEPROM 256K (32K x 8)

High-Speed ParallelEEPROM 64K (8K x 8) with Page Write and Software Data Protection

High Speed Parallel EEPROM 64K (8K x 8) with Page Write and Software Data Protection

Low-Voltage Paged Parallel EEPROM 1M (128K x 8)